কেন অল্প পরিমাণে সিলিকন কার্বাইড ব্যবহার করা যেতে পারে ফেরোসিলিকন গন্ধে

এখানে উল্লেখ করা "সিলিকন কার্বাইড" একটি নির্দিষ্ট কাঁচামাল নয়, কিন্তু গ্রাফাইট ইলেক্ট্রোড তৈরিতে গ্রাফাইটাইজেশন ফার্নেসের নিরোধক বর্জ্য। এতে প্রচুর পরিমাণে সিলিকন কার্বাইড থাকে, যে কারণে এই বর্জ্যকে সাধারণভাবে "সিলিকন কার্বাইড" বলা হয়। এর রচনাটি নিম্নরূপ:

SiC25~40%; SiO220%; C25%; বাকি আছে Al2O3, CaO ইত্যাদি।

ফেরোসিলিকন গলানোর ক্ষেত্রে, সিলিকার হ্রাস একটি প্রতিক্রিয়া যা প্রচুর তাপ শক্তি শোষণ করে। অতএব, এই প্রতিক্রিয়াটি নিবিড়ভাবে সংঘটিত হওয়ার জন্য, এটি একটি খুব উচ্চ তাপমাত্রা (প্রায় 1800 ~ 1900 ডিগ্রি) বজায় রাখা প্রয়োজন, তাই প্রচুর বিদ্যুৎ খরচ হয়। যখন সিলিকন কার্বাইডের একটি অংশ চার্জে যোগ করা হয়, তখন এটি চুল্লিতে চার্জে থাকা স্টিলের স্ক্র্যাপের সাথে নিম্নরূপ প্রতিক্রিয়া দেখায়:

SiC+Fe=FeSi+C

এই প্রতিক্রিয়া এন্ডোথার্মিক। এটি দ্বারা শোষিত তাপ এবং প্রতিক্রিয়া তাপমাত্রা সিলিকন ডাই অক্সাইড হ্রাসের জন্য প্রয়োজনীয় তাপ এবং তাপমাত্রার চেয়ে কম। অতএব, চার্জে সিলিকন কার্বাইডের একটি অংশ যোগ করলে আপনি শক্তি খরচ কমাতে পারবেন।

45টি ফেরোসিলিকনের গন্ধে, চার্জে আরও বেশি স্টিলের স্ক্র্যাপ থাকে এবং সিলিকন কার্বাইড ফ্র্যাকচার প্রতিক্রিয়া প্রধানত SiC+Fe=FeSi+C হয়। তাই এই সময়ে সিলিকন কার্বাইড ব্যবহারের হার বেশি।

চার্জে 75 ফেরোসিলিকন গলানোর সময়, কম স্টিলের স্ক্র্যাপ এবং বেশি সিলিকা থাকে এবং সিলিকন কার্বাইড ধ্বংস প্রতিক্রিয়া প্রধানত নিম্নলিখিত সূত্র অনুসারে এগিয়ে যাবে:

2SiO2+SiC= 3SiO+CO↑

SiO+SiC=2Si+CO↑

উভয় প্রতিক্রিয়া প্রায় 1800 ডিগ্রী উচ্চ তাপমাত্রায় সঞ্চালিত হয়, এবং তাই বায়বীয় SiO তাদের অংশগ্রহণ করে। যাইহোক, যেহেতু SiO গ্যাস বেশি উদ্বায়ী, তাই সিলিকন কার্বাইড-ধ্বংসকারী প্রতিক্রিয়া নিরাপদে চালানো সহজ নয়। এটি দেখা যায় যে 75 ফেরোসিলিকন গলানোর সময়, সিলিকন কার্বাইড ব্যবহারের হার কম।